ဗဟုသုတများ

ဆိုလာပြား စက်ရုံ စတင်ပုံနှင့် ပတ်သက်သော နောက်ထပ် အချက်အလက်

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaic အတွက် N-type နှင့် P-type monocrystalline silicon wafers အကြား အဓိက ကွာခြားချက်များ


နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaics အတွက် N-type နှင့် P-type monocrystalline silicon wafers အကြား အဓိက ကွာခြားချက်များ

နေရောင်ခြည်စွမ်းအင်သုံး photovoltaics အတွက် N-type နှင့် P-type monocrystalline silicon wafers အကြား အဓိက ကွာခြားချက်များ


Monocrystalline silicon wafer များတွင် သတ္တုတစ်ပိုင်း သတ္တုများ၏ ရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာ ဂုဏ်သတ္တိများ ရှိပြီး လျှပ်ကူးနိုင်မှု အားနည်းကာ အပူချိန် တိုးလာသည်နှင့်အမျှ ၎င်းတို့၏ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း တိုးလာပါသည်။ ၎င်းတို့တွင် သိသာထင်ရှားသော semiconducting ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ ဘိုရွန်အနည်းငယ်ပါသော အလွန်သန့်စင်သော သန့်စင်သော မိုနိုစခရစ်စတယ်လီဆီလီကွန်ဝေဖာများကို သောက်သုံးခြင်းဖြင့်၊ လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို P-type ဆီလီကွန်တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာအဖြစ် တိုးမြှင့်နိုင်သည်။ အလားတူပင်၊ phosphorus သို့မဟုတ် arsenic ပမာဏအနည်းငယ်ဖြင့် သောက်သုံးခြင်းဖြင့် N-type silicon semiconductor ဖြစ်ပေါ်လာပြီး လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်းကို တိုးစေနိုင်သည်။ ဒါဆို P-type နဲ့ N-type silicon wafers တို့ရဲ့ ကွာခြားချက်တွေက ဘာတွေလဲ။


P-type နှင့် N-type monocrystalline silicon wafers တို့၏ အဓိက ကွာခြားချက်များမှာ အောက်ပါအတိုင်း ဖြစ်သည်။


Dopant- monocrystalline silicon တွင်၊ phosphorus နှင့် doping သည် N-type ကိုဖြစ်စေပြီး boron နှင့် doping သည် P-type ကိုဖြစ်စေသည်။

လျှပ်ကူးနိုင်စွမ်း- N-type သည် အီလက်ထရွန်လျှပ်ကူးမှုဖြစ်ပြီး P-type သည် hole-conducting ဖြစ်သည်။

စွမ်းဆောင်ရည်- N-type တွင် phosphorus ပိုများလေလေ၊ အလကားအီလက်ထရွန်များလေလေ၊ conductivity ပိုအားကောင်းလေ၊ ခုခံနိုင်စွမ်းအား နိမ့်လေလေဖြစ်သည်။ ဘိုရွန်ကို P-type အဖြစ်သို့ များများထည့်လေ၊ ဆီလီကွန်ကို အစားထိုးခြင်းဖြင့် အပေါက်များ ထုတ်ပေးလေလေ၊ လျှပ်ကူးနိုင်မှုအားကောင်းလေ၊ ခံနိုင်ရည် နည်းပါးလေဖြစ်သည်။

လက်ရှိတွင်၊ P-type silicon wafers များသည် photovoltaic လုပ်ငန်းတွင် အဓိကထုတ်ကုန်များဖြစ်သည်။ P-type silicon wafers များသည် ထုတ်လုပ်ရန် ရိုးရှင်းပြီး ကုန်ကျစရိတ် သက်သာပါသည်။ N-type silicon wafer များသည် ပုံမှန်အားဖြင့် လူနည်းစု သယ်ဆောင်သည့် သက်တမ်း ပိုရှည်ကြပြီး ဆိုလာဆဲလ်များ၏ စွမ်းဆောင်ရည်ကို ပိုမိုမြင့်မားစေသော်လည်း လုပ်ငန်းစဉ်သည် ပိုမိုရှုပ်ထွေးပါသည်။ N-type silicon wafer များကို ဆီလီကွန်နှင့် ပျော်ဝင်မှု အားနည်းသော phosphorus ဖြင့် ရောထားသည်။ တုတ်ဆွဲစဉ်တွင် ဖော့စဖရပ်စ်ကို အညီအမျှ မဖြန့်ဝေပါ။ P-type silicon wafer များကို ဆီလီကွန်နှင့် အလားတူ ခွဲခြမ်းစိတ်ဖြာမှု ကိန်းဂဏန်းရှိသော ဘိုရွန်နှင့် ရောထားပြီး ကွဲလွဲမှု၏ တူညီမှုကို ထိန်းချုပ်ရန် လွယ်ကူသည်။


သင့်စိတ်ကူးကို လက်တွေ့အဖြစ်သို့ ပြောင်းလဲကြပါစို့

Kindky မှ အောက်ပါအသေးစိတ်အချက်အလက်များကို ကျွန်ုပ်တို့အား အသိပေးပါ၊ ကျေးဇူးတင်ပါသည်။

အပ်လုဒ်အားလုံးသည် လုံခြုံပြီး လျှို့ဝှက်ထားသည်။