ဗဟုသုတများ

ဆိုလာပြားများ၏ နိယာမ သရုပ်ဖော်ပုံ

ဆိုလာပြားများ၏ နိယာမ သရုပ်ဖော်ပုံ

နေစွမ်းအင်သည် လူသားတို့အတွက် အကောင်းဆုံး စွမ်းအင်အရင်းအမြစ်ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ မကုန်မခန်းနိုင်သော နှင့် ပြန်လည်ပြည့်ဖြိုးမြဲဖြစ်သော လက္ခဏာများက ၎င်းသည် လူသားတို့အတွက် အသက်သာဆုံးနှင့် လက်တွေ့အကျဆုံး စွမ်းအင်အရင်းအမြစ် ဖြစ်လာမည်ဟု ဆုံးဖြတ်သည်။ ဆိုလာပြားများသည် ပတ်ဝန်းကျင်ညစ်ညမ်းမှုမရှိဘဲ သန့်ရှင်းသောစွမ်းအင်ဖြစ်သည်။ Dayang Optoelectronics သည် မကြာသေးမီနှစ်များအတွင်း လျင်မြန်စွာ ဖွံ့ဖြိုးတိုးတက်လာခဲ့ပြီး အတက်ကြွဆုံး သုတေသနနယ်ပယ်ဖြစ်ပြီး ထိပ်တန်းပရောဂျက်များထဲမှ တစ်ခုလည်းဖြစ်သည်။

ဆိုလာပြားများပြုလုပ်ခြင်းနည်းလမ်းကို အဓိကအားဖြင့် semiconductor ပစ္စည်းများပေါ်တွင် အခြေခံထားပြီး ၎င်း၏လုပ်ငန်းဆောင်တာမူမှာ photoelectric အဖြစ်ပြောင်းလဲခြင်းတုံ့ပြန်မှုပြီးနောက် အလင်းစွမ်းအင်ကိုစုပ်ယူရန်အတွက် photoelectric ပစ္စည်းများကိုအသုံးပြုရမည်ဖြစ်ပြီး၊ အသုံးပြုထားသော မတူညီသောပစ္စည်းများအရ၊ ဆီလီကွန်အခြေခံဆိုလာဆဲလ်များနှင့် ပါးလွှာခြင်းဟူ၍ ခွဲခြားနိုင်သည်။ -film ဆိုလာဆဲလ်များ၊ ယနေ့တွင် အဓိကအားဖြင့် ဆီလီကွန်အခြေခံဆိုလာပြားများအကြောင်း သင့်အား ပြောပြပါမည်။

ပထမဦးစွာ ဆီလီကွန် ဆိုလာပြားများ

ဆီလီကွန်ဆိုလာဆဲလ်များ၏ လုပ်ဆောင်မှုနိယာမနှင့် ဖွဲ့စည်းပုံပုံကြမ်း ဆိုလာဆဲလ်စွမ်းအင်ထုတ်လုပ်ခြင်းနိယာမသည် အဓိကအားဖြင့် ဆီကွန်ဒတ်တာများ၏ photoelectric effect ဖြစ်ပြီး ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများ၏ အဓိကဖွဲ့စည်းပုံမှာ အောက်ပါအတိုင်းဖြစ်သည်။

အပြုသဘောဆောင်သော တာဝန်ခံသည် ဆီလီကွန်အက်တမ်ကို ကိုယ်စားပြုပြီး အနုတ်ဓာတ်အားသည် ဆီလီကွန်အက်တမ်ကို လှည့်ပတ်နေသော အီလက်ထရွန်လေးလုံးကို ကိုယ်စားပြုသည်။ ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲကို ဘိုရွန်၊ ဖော့စဖရပ်စ် စသည်တို့ကဲ့သို့သော အခြားအညစ်အကြေးများနှင့် ရောစပ်သောအခါ၊ ဘိုရွန်ကို ထည့်သောအခါ၊ ဆီလီကွန်ပုံဆောင်ခဲတွင် အပေါက်တစ်ခု ပေါ်လာမည်ဖြစ်ပြီး ၎င်း၏ဖွဲ့စည်းပုံကို အောက်ပါပုံအတိုင်း ရည်ညွှန်းနိုင်သည်။

အပြုသဘောဆောင်သော တာဝန်ခံသည် ဆီလီကွန်အက်တမ်ကို ကိုယ်စားပြုပြီး အနုတ်ဓာတ်အားသည် ဆီလီကွန်အက်တမ်ကို လှည့်ပတ်နေသော အီလက်ထရွန်လေးလုံးကို ကိုယ်စားပြုသည်။ အဝါရောင်သည် ဘိုရွန်အက်တမ်တစ်ဝိုက်တွင် အီလက်ထရွန် 3 လုံးသာရှိသောကြောင့် ပေါင်းစပ်ထားသော ဘိုရွန်အက်တမ်ကို ညွှန်ပြသောကြောင့် ၎င်းသည် ပုံတွင်ပြထားသည့် အပြာရောင်အပေါက်ကို ထုတ်ပေးမည်ဖြစ်ပြီး၊ အီလက်ထရွန်မရှိသောကြောင့် အလွန်မတည်မငြိမ်ဖြစ်သွားကာ အီလက်ထရွန်များကို စုပ်ယူရန်နှင့် ပျက်ပြယ်ရန်လွယ်ကူသည်။ P (positive) အမျိုးအစား တစ်ပိုင်းလျှပ်ကူးတာ ဖွဲ့စည်းသည်။ အလားတူပင်၊ ဖော့စဖရပ်စ်အက်တမ်များကို ပေါင်းစည်းသောအခါ၊ ဖော့စဖရပ်စ်အက်တမ်တွင် အီလက်ထရွန်ငါးခုပါသောကြောင့်၊ အီလက်ထရွန်တစ်ခုသည် အလွန်တက်ကြွလာပြီး N (အနုတ်လက္ခဏာ) အမျိုးအစား ဆီမီးကွန်ဒတ်တာများဖြစ်လာသည်။ အဝါရောင်သည် phosphorus nuclei ဖြစ်ပြီး အနီရောင်သည် ပိုလျှံနေသော အီလက်ထရွန်များဖြစ်သည်။ အောက်ပါပုံတွင်ပြထားသည့်အတိုင်း။

P-type semiconductors များတွင် အပေါက်များ ပိုများပြီး N-type semiconductors များတွင် အီလက်ထရွန်များ ပိုမိုပါဝင်သောကြောင့် P-type နှင့် N-type semiconductors များကို ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ၊ PN junction ဖြစ်သည့် contact surface တွင် လျှပ်စစ်အလားအလာ ကွာခြားမှု ဖြစ်ပေါ်မည်ဖြစ်သည်။

P-type နှင့် N-type semiconductors များကို ပေါင်းစပ်လိုက်သောအခါ၊ semiconductors နှစ်ခု၏ interfacial area တွင် အထူးပါးလွှာသောအလွှာကို ဖွဲ့စည်းထားပြီး၊ အင်တာဖေ့စ်၏ P-type ဘက်ခြမ်းသည် အနုတ်လက္ခဏာပြပြီး N-type side သည် အပြုသဘောဆောင်ပါသည်။ ၎င်းမှာ P-type semiconductors များတွင် အပေါက်များစွာပါရှိပြီး N-type semiconductors များတွင် လွတ်လပ်သော အီလက်ထရွန်များစွာရှိပြီး အာရုံစူးစိုက်မှု ကွာခြားမှုရှိသည်။ N ဒေသရှိ အီလက်ထရွန်များသည် P ဒေသသို့ ပျံ့နှံ့သွားပြီး P ဒေသရှိ အပေါက်များသည် N ဒေသသို့ ပျံ့နှံ့သွားကာ N မှ P သို့ ညွှန်ကြားသည့် "အတွင်းပိုင်းလျှပ်စစ်စက်ကွင်း" ဖြစ်ပေါ်လာသဖြင့် ပျံ့နှံ့မှုကို တားဆီးပေးသည်။ မျှခြေသို့ရောက်ရှိပြီးနောက်၊ PN လမ်းဆုံဖြစ်သည့် အလားအလာရှိသော ခြားနားချက်တစ်ခုဖြစ်လာစေရန် ဤကဲ့သို့သော အထူးပါးလွှာသောအလွှာကို ဖွဲ့စည်းထားသည်။

wafer သည် အလင်းနှင့် ထိတွေ့သောအခါ PN လမ်းဆုံရှိ N-type semiconductor ၏ အပေါက်များသည် P-type ဒေသသို့ ရွေ့သွားပြီး P-type ဒေသရှိ အီလက်ထရွန်များသည် N-type ဒေသသို့ ရွေ့သွားကာ မှ ထွက်ပေါ်လာသော လျှပ်စီးကြောင်းတစ်ခု၊ N-type ဒေသမှ P-type ဒေသအထိ။ ထို့နောက် ပါဝါထောက်ပံ့မှုပုံစံဖြစ်သည့် PN လမ်းဆုံတွင် ဖြစ်နိုင်ချေရှိသော ခြားနားချက်တစ်ခုကို ဖွဲ့စည်းသည်။